La mémoire interne du Galaxy S6 ira 2.7 fois plus vite que n’importe quel autre stockage de masse

Si vous êtes un grand fan de photos et que vous utilisez une carte microSD de grande capacité (64Go par exemple) pour stocker vos clichés, vous avez déjà sûrement remarqué une petite lenteur. Celle-ci est dû au fait que l’appareil doit accéder à un répertoire situé sur un stocakge externe et que la vitesse d’opérations/seconde est plus faible que pour une mémoire interne.

Avec le Galaxy S6, Samsung devrait remédier à ce problème en supprimant tout bonnement le slot microSD. En complément, ce sont trois capacités de stockage qui seront proposées à l’utilisateur : 32, 64 et 128Go. Mais le constructeur sud-coréen ne s’est pas arrêté là et a travaillé sur le développement de nouvelles mémoires flash.

Aujourd’hui, par le biais de son blog, Samsung a annoncé un nouveau type de mémoire flash ultra-rapide. Basée sur le standard UFS 2.0, cette mémoire est 2.7 fois plus rapide que celle utilisant la technologie eMMC 5.0, que l’on retrouve dans nos smartphones actuels. C’est ainsi que 19 000 opérations entrantes/seconde peuvent être traitées.

Ce sont donc trois capacités de stockage qui sont proposées, 32, 64 et 128Go, à savoir les mêmes que pour le Galaxy S6. Même si la firme sud-coréenne n’a pas confirmé la présence de ces mémoires ultra-rapides, il n’y a que peu de doutes quant à leur présence dans les entrailles du nouveau flagship de la marque.

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